盐都影院

N沟道MOSFET低VCEsat(BISS)PNP晶体管组合

具备组合优势的二合一解决方案

您的设计能否受益于MOSFET双极性晶体管组合?这些器件将PNP突破性小信号(BISS)晶体管与N沟道MOSFET相结合,提供大量性能和设计优势,包括效率高、元件数少以及节省成本和电路板空间。

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Low VCEsat (BISS) transistors PNP - N-channel MOSFET combination
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